I le faagasologa o le semiconductor alamanuia agai atu i nanoscale faiga gaosiga, o le tipiina o wafer, e avea o se sootaga autu i le gaosiga o chip, e matua'i mana'omia mo le mautu meafaigaluega. O le fa'avae ma'amora, fa'atasi ai ma le mata'ina o le tete'e ma le fa'amautu o le vevela, ua avea ma vaega autu o mea e tipiina ai wafer, e maua ai se fa'amautinoaga fa'atuatuaina mo le ausiaina o le sa'o maualuga ma le fa'aogaina o le gaogao. ;
Uiga maualuga faʻafefe ma faʻafefete: Puipuia le saʻo o le tipiina o nano-level
Pe a faʻaogaina le masini tipi, o le televave o le taamilosaga o le spindle, le maualuga o le vibration o le meafaigaluega tipi, ma le vibration o le siosiomaga e gaosia e meafaigaluega o loʻo siomia ai o le a i ai uma se aafiaga taua i le saʻo saʻo. E fa'atapula'aina le fa'aogaina o fa'avae u'amea fa'aleaganu'u, e fa'afaigata ai ona fa'atopetope fa'ato'ilalo vibration, lea e o'o atu ai i le micron-level jitter o meafaigaluega tipi ma fa'atupu sa'o ai fa'aletonu e pei o pito ta'e ma ta'e i luga o fafie. O uiga damping maualuga o le faavae maamora ua faavae foia lenei faafitauli. ;
O tioata minerale totonu o le maamora o loʻo faʻapipiʻi vavalalata, e fausia ai se fausaga faʻaleagaina o le malosi masani. A tuʻuina atu le vibration i le faʻavae, o lona microstructure i totonu e mafai ona vave faʻaliliuina le malosi o le vibration i le malosi vevela, ausiaina lelei le attenuation vibration. Faʻamatalaga faʻataʻitaʻiga o loʻo faʻaalia ai i lalo o le siosiomaga vibration tutusa, e mafai e le maʻamea faavae attenuate le amplitude vibration e sili atu i le 90% i totonu ole 0.5 sekone, ae manaʻomia le uʻamea faavae 3 i 5 sekone. O lenei fa'atinoga mata'utia fa'afefete e fa'amautinoa ai o lo'o tumau pea le mea faigaluega tipi i le taimi o le fa'asologa o le tipiina o le nanoscale, fa'amautinoaina se pito lamolemole o le tipiina o le wafer ma fa'aitiitia lelei le fua o le tipi. Mo se faʻataʻitaʻiga, i le 5nm wafer cutting process, meafaigaluega faʻatasi ma se maʻa maʻamea e mafai ona pulea le tele chipping i totonu o le 10μm, lea e sili atu i le 40% maualuga atu nai lo meafaigaluega ma se faavae uʻamea. ;
Fa'amama-maualalo le fa'alauteleina o le vevela: Tete'e i a'afiaga o fesuiaiga o le vevela
I le taimi o le tipiina o le wafer, o le vevela e mafua mai i le feteʻenaʻiga o mea faigaluega tipi, faʻafefe o le vevela mai le faʻaogaina umi o meafaigaluega, ma suiga i le vevela o le siosiomaga e mafai ona mafua ai le faʻaleagaina o le vevela o vaega o meafaigaluega. O le faʻatusatusaina o le faʻalauteleina o le vevela o mea uʻamea e maualuga tele (tusa ma le 12 × 10⁻⁶ / ℃). Pe a fesuisuiai le vevela i le 5 ℃, e mafai ona oʻo i le 1 mita-umi le umi o le uʻamea o le 60μm, ma mafua ai ona suia le tulaga tipi ma matua aʻafia ai le saʻo saʻo. ;
O le coefficient o le faalauteleina vevela o le faavae maamora e na o (4-8) ×10⁻⁶ / ℃, lea e itiiti ifo i le tasi vaetolu o mea uamea. I lalo ole suiga ole vevela lava lea e tasi, e toetoe lava a le amana'ia lona suiga tele. O faʻamatalaga fuaina o se pisinisi gaosi semiconductor o loʻo faʻaalia ai i le 8-itula faʻaauau pea le tipiina o le wafer, pe a fesuisuiaʻi le vevela o le vevela i le 10 ℃, o le tulaga tipiina o meafaigaluega ma se maʻa maʻa e itiiti ifo i le 20μm, ae o le meafaigaluega e iai le uʻamea e sili atu i le 60μm. O lenei fa'atinoga fa'amama mautu e fa'amautinoa ai o le tulaga fa'atatau i le va o le meafaigaluega tipi ma le wafer e tumau pea le sa'o i taimi uma. E oʻo lava i lalo o se taimi umi faʻaauau le faʻagaioiga poʻo suiga tetele i le vevela o le siosiomaga, e mafai ona faʻatumauina le tutusa o le tipi saʻo. ;
Ma'a'a ma ofuina tete'e: Fa'amautinoa le fa'agaioiga tumau tumau o meafaigaluega
I le faaopoopo atu i le lelei o le vibration resistance ma le mautu o le vevela, o le maualuga maualuga ma le ofuina o le teteʻe o le maamora e faʻaleleia atili ai le faʻatuatuaina o meafaigaluega tipi wafer. O le Granite ei ai le maaa o le 6 i le 7 i luga o le fua Mohs ma le malosi faʻamalosi e sili atu i le 120MPa. E mafai ona tatalia le mamafa tele ma le malosi o le aʻafiaga i le taimi o le tipiina ma e le faigofie i le faʻaleagaina. I le taimi nei, o lona fausaga mafiafia e fa'aofuina ai i le fa'aogaina lelei o le ofuina. E oo lava i le taimi o le tipiina masani, o le pito i luga o le faʻavae e le faigofie ona ofuina, faʻamautinoa o loʻo faʻatumauina e le masini le faʻaogaina maualuga mo se taimi umi. ;
I faʻatinoga faʻatinoga, o le tele o atinaʻe gaosiga o wafer ua faʻaleleia atili le gaosiga o oloa ma le gaosiga lelei e ala i le faʻaaogaina o meafaigaluega tipi ma faʻavae maʻa. O faʻamatalaga mai le faʻauluuluga o le lalolagi o loʻo faʻaalia ai ina ua maeʻa ona tuʻuina atu meafaigaluega faʻavae maamora, ua faʻateleina le fuaina o le tipiina mai le 88% i le sili atu i le 95%, o le taamilosaga o le tausiga o meafaigaluega ua faʻalauteleina i le tolu taimi, faʻaitiitia lelei tau gaosiga ma faʻaleleia le tauvaga maketi. ;
I le faaiuga, o le faavae maamora, faatasi ai ma lona teteʻe sili ona lelei, mautu vevela, maualuga rigidity ma ofuina teteʻe, e maua ai faamaoniga atoatoa faatinoga mo masini tipi tipi. A o agai i luma tekinolosi semiconductor agai atu i le saʻo maualuga, faavae maamora o le a faia se sao sili atu ona taua i le fanua o le gaosiga o le wafer, faalauiloaina le atinae fou faifai pea o le alamanuia semiconductor.
Taimi meli: Me-20-2025